高娟，博士，教授，光电系统与控制专业硕士生导师，安徽省物理学会会员，国家自然科学基金委网络评审专家，888.3net新浦京副院长。
主要从事光电功能薄膜材料可控合成、超薄栅与高迁移率沟道材料的界面控制及MOS器件构筑等相关领域的研究。在high-k栅极材料的制备、界面物性和高迁移率MOS器件构筑等方面取得较好成果，以第一作者和通讯作者在J. Mater. Chem. C、J. Mater. Sci. Tech.、Appl. Sur. Sci.、J. Chem. Phys.等国内外主流期刊上发表论文20余篇。主持国家自然科学基金青年基金1项、安徽省自然基金面上基金1项、高校优秀青年骨干人才项目1项。并以主要参与人完成国家自然科学基金面上基金2项、青年基金1项，参与完成多项省部级科研项目。RSC Adv., J. Mater. Sci.: Mater. Electro., IONICS等国际期刊审稿人。
研究方向：1.新型high-k栅与高迁移率沟道材料的集成及性能研究；
2.低维纳米结构的控制生长及原理研究；
3.光催化材料的制备及性能研究。
联系方式：gaojuanphys@126.com
教育学习背景：
2014.9-2018.6 安徽大学物理与材料科学学院材料科学与工程博士；
2004.9-2007.7 复旦大学现代物理研究所原子与分子物理硕士；
1998.9-2002.7 安徽师范大学物理系物理学教育本科。
近年来主持和参与的科研项目：
1.国家自然科学基金：铪基高k栅介质/钝化层/Ge堆栈结构设计、界面调控及其MOS器件性能研究（项目号：51702003）主持；
2.安徽省自然科学基金：HfGdO/IPL/Ge堆栈结构设计、界面调控及性能优化（项目号：1808085ME130），主持；
3.团簇生长的动力学研究，国家基金面上基金，批准号A040308（参与）
4.高k栅介质/钝化层/InGaAs叠层结构设计、界面失稳调控及性能优化，国家基金面上基金，批准号：51572002（参与）
5.新型TiO2/Ag基柔性SERS基底材料：痕量检测及光降解治理，国家基金青年基金，项目批准号：51502005（参与）
6.双掺杂钛酸锶基壳核催化剂的构筑与磁光性能调控研究,安徽高校自然科学研究项目重点项目，KJ2019A0117（参与）
7.贵金属/氧化石墨烯/TiO2纳米片阵列复合SERS活性基底的有序构建及协同增效机制，安徽高校自然科学研究项目重点项目，项目批准号：KJ2019A0122（参与）
近五年发表部分论文：
J.L. Deng, J.Gao(通讯), et al, SnS Nanoparticles and MoS2 Nanosheets Co-Decorated TiO2 Nanorod Film with Remarkable Photocatalytic and Photoelectrochemical Properties, J. Electro. Soc., 169(2022)56513.
J. Gao, J.T. Hu, et al, Fabrication of Z-Scheme TiO2/SnS2/MoS2 ternary heterojunction arrays for enhanced photocatalytic and photoelectrochemical performance under visible light，J. Solid State Chem.，307（2022）122737.
J. Gao, X.W. Sun, 2D Z-scheme TiO2/SnS2 heterojunctions with enhanced visible-light photocatalytic performance for refractory contaminants and mechanistic insights, New J. Chem., 45(2021)16131.
L. Zheng, X. Sun, R. Zhang, J. Gao*(通讯), Enhanced photocatalytic performance of ammonia self-etched holely g-c 3 n 4 decorated with anatase nanoflakes by a facile synthesis process. Appl. Surf. Sci., 542(2021), 148580.
J. Gao,etal, A comparative study on the evolution of the interface chemistry and electrical performance of ALD-driven HfxTiyAlzO nanolaminates,RSC Advance 10 (2020) 14733.
J. Gao,etal, Ultrathin alumina wrapped TiO2 nanorods for enhance photoelectrochemical performance via atomic layer deposition method, Chem. Phys. 536 (2020) 110791.
Y.F. Wang, J. Gao*(通讯), Facile fabrication of zno nanorods modified fe 3 o 4 nanoparticles with enhanced magnetic, photoelectrochemical and photocatalytic properties. Opt. Mater., 111(2020) 110608.
J. Gao, et al., Ultrathin Al2O3 passivation layer-wrapped Ag@TiO2 nanorods by atomic layer deposition for enhanced photoelectrochemical performance, Appl. Surf. Sci. 499 (2020) 143971.
D. Wang, G. He, H. Lin, J. Gao*(通讯), and M. Zhang, Comparative passivation effect of ALD-driven HfO2 and Al2O3 buffer layers on the interface chemistry and electrical characteristics of Dy-based gate dielectrics, J. Mater. Chem. C, 7 (2019) 1955-1965.
10. J. Gao, G. He, S. Liang, D. Wang, B. Yang, Comparative study on in-situ surface cleaning effect of intrinsic oxide covering GaAs surface using TMA precursor and Al2O3 buffer layer for HfGdO gate dielectrics, J. Mater. Chem. C, 6 (2018) 2546-2555.
11. J. Gao, G. He, D. Q. Xiao, P. Jin, S. S. Jiang, W. D. Li, S. Liang, and L. Zhu, Passivation of Ge surface treated with trimethylaluminum and investigation of electrical properties of HfTiO/Ge gate stacks, J. Mater. Sci. Tech.33 (8) (2017) 901-906.
12. J. Gao, G. He, Z. B. Fang, J. G. Lv, M. Liu, and Z. Q. Sun, Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation, J. Alloys. Comp. 695 (2017) 2199-2206.
13. J. Gao, G. He, M. Liu, J. G. Lv, Z. Q. Sun, C. Y. Zheng, P. Jin, D. Q. Xiao, and X. S. Chen, Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stacks by annealing temperature, J. Alloys. Comp. 691 (2017) 504-513.
